- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375780 > FDB8030L (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDB8030L |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 80 A, 30 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 358K |
| 代理商： | FDB8030L |
FDP8030L Rev C(W)
Typical Characteristics
0
40
80
Q , GATE CHARGE (nC)
120
160
200
240
0
2
4
6
8
10
V
G
I = 80A
V = 5V
DS
10V
15V
0.1
0.5
1
2
5
10
30
500
1000
2000
5000
10000
18000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
V = 0V
C ss
C ss
C ss
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.3
1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
3
5
10
20
30
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
300
600
I
D
100μs
1ms
10ms
DC
R Limt
DS(ON)
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 0.8 °C/W
T = 25 °C
GS
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1,000
0
1000
2000
3000
4000
5000
SINGLE PULSE TIME (mSEC)
P
SINGLE PULSE
R = 0.8°C/W
T = 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
0.005
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t /t
1
2
R (t) = r(t) * R
R = 0.8 °C/W
T - T = P * R JC
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP8441 | N-Channel PowerTrench MOSFET (40V, 80A, 2.7mohm) |
| FDP8447L | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 8.7mヘ |
| FDP8860 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP8870 | N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 156A, 4.1mз |
| FDP8874 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB8132 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| FDB8132_F085 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8160 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| FDB8160_F085 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8441 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。