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参数资料
| 型号： | FDB8880 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 54A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1240pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB8880DKR |
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
± 20
Units
V
V
Drain Current
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V)
54
A
Continuous (T C = 25 C, V GS = 4.5V)
C
I D
E AS
P D
T J , T STG
o
Continuous (T amb = 25 o C, V GS = 10V, with R θ JA = 43 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
48
11
Figure 4
31
55
0.37
-55 to 175
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance Junction to Case TO-220,TO-263
2.73
o C/W
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in copper pad area
R θJA
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220,TO-262 ( Note 2)
2
62
43
o
o
C/W
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDP8880
FDB8880
Device
FDP8880
FDB8880
Package
TO-220AB
TO-263AB
Reel Size
Tube
330mm
Tape Width
N/A
24mm
Quantity
50 units
800 units
F
F
Electrical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
B VDSS
Drain to Source Breakdown Voltage
I D = 250 μ A, V GS = 0V
30
-
-
V
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
V DS = 24V
V GS = 0V
V GS = ± 20V
T C = 150 o C
-
-
-
-
-
-
1
250
± 100
μ A
nA
On Characteristics
V GS(TH)
Gate to Source Threshold Voltage
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
-
2.5
V
I D = 40A, V GS = 10V
-
0.0095 0.0116
r DS(ON)
Drain to Source On Resistance
I D = 40A, V GS = 4.5V
I D = 40A, V GS = 10V,
T J = 175 o C
-
-
0.012
0.015
0.0145
0.019
?
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8880 / FDB8880 Rev. A 1
2
www.fairchildsemicom
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD18N20V2TM | MOSFET N-CH 200V 15A DPAK |
| ND3FC16P | SW ROTARY DIP 8MM HEX SMD |
| 90HBJ02PT | SWITCH DIP SEAL JLEAD SMD 2POS |
| 97C08ST | SWITCH DIP HALF PITCH 8POS SMD |
| 90HBW03PT | SWITCH 3 POS DIP GULL SEALED SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8896_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDB8896_F085 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB9403 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 40V, 110A, 1.2m?? |
| FDB9403_F085 | 功能描述:MOSFET 40V 110A 1.2m? N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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