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参数资料
| 型号： | FDD044AN03L |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 21 A, 30 V, 0.0044 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 298K |
| 代理商： | FDD044AN03L |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD044AN03L / FDU044AN03L Rev. B1
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
1000
10000
0.1
1
10
30
400
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 15V
I
D
= 35A
I
D
= 5A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU068AN03L | N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 35A, 6.8mз |
| FDD068AN03L | N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 35A, 6.8mз |
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| FDD2572 | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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