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参数资料
| 型号： | FDD15SG3SL-K1019 |
| 厂商： | FCT ELECTRONIC GMBH |
| 元件分类： | D-微型连接器 |
| 英文描述： | 15 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 876K |
| 代理商： | FDD15SG3SL-K1019 |
ALL DIMENSIONS IN MILLIMETERS - VALUES FOR INCHES IN BRACKETS - TECHNICAL DATA SUBJECT TO CHANGE
73
Bestellschlüssel
Ordering code
D-Sub Dualport Steckverbinder
D-Sub dualport connectors
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD1600N10ALZ | 功能描述:MOSFET PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD1600N10ALZD | 功能描述:MOSFET 100V, 6.8A, 160mOhm N-Channel BoostPak RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:100 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:6.8 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:160 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252-5L 封装:Reel |
| FDD16AN08A0 | 功能描述:MOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08A0_F085 | 功能描述:MOSFET Trans N-Ch 75V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08A0_NF054 | 功能描述:MOSFET 75V 50a .16Ohms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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