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参数资料
| 型号： | FDD25PG1EL-K1019 |
| 厂商： | FCT ELECTRONIC GMBH |
| 元件分类： | D-微型连接器 |
| 英文描述： | 25 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 876K |
| 代理商： | FDD25PG1EL-K1019 |
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TECHNISCHE NDERUNGEN VORBEHALTEN – MAE IN MILLIMETER (INCHES IN KLAMMERN)
Abmessungen FD...E für D-Sub Steckverbinder mit geringer Einbauhhe
Leiterplattenstrke 1,6 mm
Dualport 2 * 9-polig
Dualport 2 * 37-polig
Dualport 2 * 9 contacts
Dualport 2 * 25 contacts
Dualport 2 * 15 contacts
Dualport 2 * 25-polig
Dualport 2 * 15-polig
Dimensions FD...E for low profile D-Sub connectors PCB thickness 0.063“
Dualport 2 * 37 contacts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDD25PG1LR-K1019 | 25 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD2612 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD2670 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD26AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 36A 26 OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD26AN06A0_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 36A, 26m?? |
| FDD26AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench 60V 36A 26mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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