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参数资料
| 型号： | FDD3706 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 14.7 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | FDD3706 |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDD6030BL | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDD6030L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDU6296 | 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench? MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3860 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3860_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3860_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:100V N-Channel PowerTrenchR MOSFET |
| FDD390N15A | 功能描述:MOSFET PT5 100/20V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD390N15ALZ | 功能描述:MOSFET NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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