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参数资料
| 型号： | FDD37PG1LR-K1019 |
| 厂商： | FCT ELECTRONIC GMBH |
| 元件分类： | D-微型连接器 |
| 英文描述： | 37 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 876K |
| 代理商： | FDD37PG1LR-K1019 |
ALL DIMENSIONS IN MILLIMETERS - VALUES FOR INCHES IN BRACKETS - TECHNICAL DATA SUBJECT TO CHANGE
77
Abmessungen FD...E für D-Sub Steckverbinder mit geringer Einbauhhe
Dimensions FD...E for low profile D-Sub connectors
Innengewinde 4-40 UNC, M3 bzw.
Sechskantbolzen 4-40 UNC, M3
Inner thread 4-40 UNC, M3 or
hexagon nut 4-40 UNC, M3
Auch montiert als
Modifikationsnummer
...-K1019 lieferbar.
Also available mounted with
modification number
...-K1019.
Polzahlen
A
B
Teilungseinheiten TE*
Number of contacts
Division unit TE*
30,8
25,0
(1.213)
(0.984)
39,1
33,3
(1.539)
(1.311)
53,0
47,04
(2.087)
(1.852)
69,3
63,5
(2.728)
(2.500)
2 * 37
6
2 * 25
6
2 * 9
2 * 15
*1 TE = 1 Teilungseinheit
= 5,08 mm
*1 TE = 1 division unit
= 0.200“
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD37PG1M-K1019 | 37 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
| FDD37PG1ML-K1019 | 37 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
| FDD37PG1MR-K1019 | 37 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
| FDD37PG1S-K1019 | 37 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
| FDD37PG1SL-K1019 | 37 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3860 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3860_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3860_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:100V N-Channel PowerTrenchR MOSFET |
| FDD390N15A | 功能描述:MOSFET PT5 100/20V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD390N15ALZ | 功能描述:MOSFET NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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