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参数资料
| 型号： | FDD5N50TF_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Mechanical Dimensions
Figure 16. TO252 (D-PAK), Molded, 3-Lead, Option AA&AB
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?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD5N50 Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASG-C-V-A-25.000MHZ | OSC 25.00 MHZ 3.3V LVCMOS SMD |
| PS2-221G | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 1A 125V |
| B32520C6333K289 | FILM CAP 0.0330UF 10% 400V |
| 448VB1105BDN | POT SLIDE 1MEG OHM 1/10W 15MM HZ |
| PS2-200G | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5N50TM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD5N50TM_WS | 功能描述:MOSFET UniFET 500V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5N50U | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 3A, 2.0ヘ |
| FDD5N50UTF_WS | 功能描述:MOSFET UniFET 500V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5N50UTM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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