- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18458 > FDD5N50UTF_WS (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 500V 3A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDD5N50UTF_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | FRFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
V GS = 15.0V
10.0V
8.0 V
7.0 V
10
150 C
25 C
1
6.5 V
6.0 V
5.5 V
o
o
1
0.1
*Notes:
*Notes:
2. T C = 25 C
0.02
0.1
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
30
0.1
4
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.6
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
30
150 C
25 C
2.2
V GS = 10V
10
o
o
V GS = 20V
1.8
*Notes:
*Note: T J = 25 C
1.4
0
6 12
o
18
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
1.0 1.6
2.2
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
1000
800
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
*Note:
1. V GS = 0V
600
400
200
C iss
C oss
2. f = 1MHz
6
4
2
C rss
0
0.1
1 10
30
0
0
4 8
*Note: I D = 5A
12
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD5N50U Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASG-C-V-A-38.880MHZ | OSC 38.880 MHZ 3.3V LVCMOS SMD |
| PS2-241G | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 1A 125V |
| B32671L0682J000 | CAP FILM 6800PF 1KVDC RADIAL |
| FDD5N50TF_WS | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK |
| ASG-C-V-A-25.000MHZ | OSC 25.00 MHZ 3.3V LVCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5N50UTM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD5N50UTM_WS | 功能描述:MOSFET UniFET 500V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5N53 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
| FDD5N53TF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
| FDD5N53TM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。