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参数资料
| 型号： | FDD6296 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench? MOSFET |
| 中文描述： | 15 A, 30 V, 0.0088 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | FDD6296 |
FDD6296/FDU6296 Rev. C(W)
Typical Characteristics
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
3.5V
V
GS
=10V
4.0V
3.0V
4.5V
6.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
,
D
V
GS
= 3.5V
4.0V
6.0V
4.5V
5.0V
10V
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
,
I
D
= 50A
V
GS
= 10V
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
,
I
D
= 25A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
0
30
60
90
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
=125
o
C
25
o
C
V
DS
= 10V
-55
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
F
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