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参数资料
| 型号： | FDD6512A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 10.7 A, 20 V, 0.021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | FDD6512A |
FDD6512A/FDU6512A Rev. B (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 10.7A
V
DS
= 5V
15V
10V
0
300
600
900
1200
1500
1800
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics
Figure 8. Capacitance Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
AIN
CU
EN
T
(A)
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
50
100
150
200
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96 °C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R =
96°C/W
JA
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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