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参数资料
| 型号： | FDD6N25TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6N25TMDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
10
10
1
8.0 V
7.0 V
1
150 C
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
o
10
25 C
-55 C
0
o
o
10
2. T C = 25 C
-1
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
* Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
6
5
4
V GS = 10V
3
2
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
* Note : T J = 25 C
25 C
1
V GS = 20V
o
150 o C
o
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
400
350
300
250
200
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
6
V DS = 50V
V DS = 125V
V DS = 200V
150
100
50
C rss
* Note :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
* Note : I D = 6A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1
2
3
4
5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6N25 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDD6N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
| FDD6N50FTF | 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDD6N50RTF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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