- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19204 > FDD8870 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDD8870 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 118nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5160pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD8870FSDKR |
Typical Characteristics T C = 25 ° C unless otherwise noted
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
10000
C ISS = C GS + C GD
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DD = 15V
8
6
C RSS = C GD
C OSS ? C DS + C GD
4
1000
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 35A
400
V GS = 0V, f = 1MHz
0
I D = 5A
0.1
1 10
30
0
20
40 60
80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
FDD8870 / FDU8870 Rev. C 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BS170G | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 |
| GDS0804 | SWITCH DIP LOW PROFILE 8POS |
| ADF06ST04 | SWITCH DIP FLUSH 6POS SMD |
| FDB7030BL | MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB |
| 3-435668-4 | LOW PROFILE TAPED 4 POS DIP SW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8870 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 0.0032OHM, 160A, TO-252AA-3 |
| FDD8870_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDD8870_F085 | 功能描述:MOSFET 30V NCH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8870_F085_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 160A, 3.9m?? |
| FDD8874 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。