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参数资料
| 型号： | FDD8896_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 94A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 Pkg External Dimension Change 17/Apr/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 94A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2525pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 80W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T C = 25 ° C unless otherwise noted
1.2
1.0
100
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
75
0.8
0.6
50
0.4
25
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
NOTES:
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
1000
V GS = 4.5V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I 25
175 - T C
150
100
30
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8896 / FDU8896 Rev. C 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UU16LFNP-152 | CHOKE COMMON MODE 1.5MH PC MNT |
| CSA309-33.000MABJ | CRYSTAL 33.000 MHZ 18PF CYL |
| CSA309-28.000MABJ | CRYSTAL 28.000 MHZ 18PF CYL |
| CSA309-18.432MABJ-UB | CRYSTAL 18.432 MHZ 18PF CYL |
| ASG-C-V-B-20.000MHZ | OSC 20.00 MHZ 2.5V LVCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8N50NZTM | 功能描述:MOSFET UNIFET2 500V N-CH MOSFET DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD9005 | 制造商:ELMEC 功能描述: |
| FDD9407_F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET - Tape and Reel |
| FDDL100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Logic IC |
| FDDL125 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Logic IC |
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