参数资料
型号: FDLL3595
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 117K
描述: DIODE 125V 200MA LL34
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 125V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 3µs
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1nA @ 125V
电容@ Vr, F: 8pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: MELF(LL-34)
供应商设备封装: LL-34
包装: 标准包装
其它名称: FDLL3595DKR
FDLL3595 — High Conducta
nce, Low Leakage Diode
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
Rev. 1.1.0 2
Electrical Characteristics
Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted.
Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA150 V
VF
Forward Voltage
IF
= 1.0 mA 520 680 mV
IF
= 5.0 mA 600 750 mV
IF
= 10 mA 650 800 mV
IF
= 50 mA 750 880 mV
IF
= 100 mA 790 920 mV
IF
= 200 mA 0.83 1.0 V
IR
Reverse Leakage
VR
= 125 V 1.0 nA
VR
= 30 V, T
A
= 125
°C300nA
VR
= 125 V, T
A
= 125
°C500nA
VR
= 180 V, T
A
= 150
°C3.0μA
CTTotal Capacitance VR
= 0, f = 1.0 MHz 8.0 pF
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 10 mA, V
R
= 3.5 V
RL
= 1.0 K
Ω
3.0
μs
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