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参数资料
| 型号： | FDMF6707B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE DRMOS 50A 300KHZ 40PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | XS™ DrMOS |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | PWM |
| 输出数： | 1 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50A |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 40-PowerTFQFN |
| 供应商设备封装： | 40-PQFN（6x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMF6707BDKR |
Electrical Characteristics
Typical values are V IN = 12 V, V CIN = 5 V, V DRV = 5 V, and T A = +25°C unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Condition
Min. Typ. Max. Unit
Basic Operation
I Q
Quiescent Current
I Q =I VCIN +I VDRV , PWM=LOW or HIGH or Float
2
mA
UVLO
UVLO Threshold
V CIN Rising
2.9
3.1
3.3
V
UVLO _Hyst
UVLO Hysteresis
0.4
V
PWM Input (VCIN = VDRV = 5 V +/- 10%)
R UP_PWM
R DN_PWM
Pull-Up Impedance
Pull-Down Impedance
26
12
k ?
k ?
V IH_PWM
V TRI_HI
V TRI_LO
V IL_PWM
PWM High Level Voltage
3-State Upper Threshold
3-State Lower Threshold
PWM Low Level Voltage
1.88
1.84
0.70
0.62
2.25
2.20
0.95
0.85
2.61
2.56
1.19
1.13
V
V
V
V
t D_HOLD-OFF 3-State Shutoff Time
160
200
ns
V HiZ_PWM
3-State Open Voltage
1.40
1.60
1.90
V
PWM Input (VCIN = VDRV = 5 V ±5%)
R UP_PWM
R DN_PWM
Pull-Up Impedance
Pull-Down Impedance
26
12
k ?
k ?
V IH_PWM
V TRI_HI
V TRI_LO
V IL_PWM
PWM High Level Voltage
3-State Upper Threshold
3-State Lower Threshold
PWM Low Level Voltage
2.00
1.94
0.75
0.66
2.25
2.20
0.95
0.85
2.50
2.46
1.15
1.09
V
V
V
V
t D_HOLD-OFF 3-State Shutoff Time
160
200
ns
V HiZ_PWM
3-State Open Voltage
1.45
1.60
1.80
V
DISB# Input
V IH_DISB
V IL_DISB
I PLD
High-Level Input Voltage
Low-Level Input Voltage
Pull-Down Current
2
10
0.8
V
V
μA
t PD_DISBL
t PD_DISBH
Propagation Delay
Propagation Delay
PWM=GND, Delay Between DISB# from
HIGH to LOW to GL from HIGH to LOW
PWM=GND, Delay Between DISB# from
LOW to HIGH to GL from LOW to HIGH
25
25
ns
ns
SMOD# Input
V IH_SMOD
V IL_SMOD
I PLU
High-Level Input Voltage
Low-Level Input Voltage
Pull-Up Current
2
10
0.8
V
V
μA
t PD_SLGLL
t PD_SHGLH
Propagation Delay
Propagation Delay
PWM=GND, Delay Between SMOD# from
HIGH to LOW to GL from HIGH to LOW
PWM=GND, Delay Between SMOD# from
LOW to HIGH to GL from LOW to HIGH
10
10
ns
Ns
Continued on the following page…
? 2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMF6707B ? Rev. 1.0.3
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMF6707C | MODULE DRMOS 50A 40-PQFN |
| FDMF6707V | MODULE DRMOS 50A 40-PQFN |
| FDMF6708N | MODULE DRMOS 50A 40PQFN |
| FDMF6730 | IC DRIVER FET MULTICHIP 40-MLP |
| FDMF6820A | MODULE DRMOS 60A 40-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMF6707C | 功能描述:功率驱动器IC Xtra-Small Hi-Perf Hi-Freq DrMOS Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6707V | 功能描述:功率驱动器IC Hi Performance, Hi Frequency DrMOS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6708N | 功能描述:功率驱动器IC XS DrMOS Module Hi-Perf, Hi-Freq RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6730 | 功能描述:功率驱动器IC Plus Driver Multichip Modules RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMF6820A | 功能描述:功率驱动器IC Xtra Small, Hi Perf, Hi Freq DrMOS Module RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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