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参数资料
| 型号： | FDMS7556S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 35A POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 133nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8965pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS7556SDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
200
14
160
V GS = 10 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
12
V GS = 2.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 4.5 V
10
120
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
8
V GS = 3 V
80
6
4
40
V GS = 2.5 V
2
V GS = 3.5 V V GS = 4.5 V V GS = 10 V
0
0
0.5 1.0 1.5
2.0
0
0
40
80
120
160
200
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
4
1.4
1.3
I D = 35 A
V GS = 10 V
3
I D = 35 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.2
2
1.1
1.0
0.9
1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.8
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
200
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
200
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
100
V GS = 0 V
160
120
V DS = 5 V
10
T J = 125 o C
T J
= 125 o C
1
T J = 25 o C
80
T J = 25 o C
40
T J = -55 o C
0.1
T J = -55 o C
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7556S Rev.C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS7560S | MOSFET N-CH 25V 30A POWER56 |
| FDMS7570S | MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 |
| FDMS7572S | MOSFET N-CH 25V 23A POWER56 |
| FDMS7578 | MOSFET N-CH 25V 17A POWER56 |
| FDMS7580 | MOSFET N-CH 25V 15A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS7558S | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7560S | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7570S | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7572S | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7578 | 功能描述:MOSFET 25V 28A 5.8mOhm N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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