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参数资料
| 型号： | FDN336P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN336PDKR |
Typical Electrical Characteristics
10
2
8
V GS = -4.5V
-3.5V
1.8
6
-3.0V
-2.5V
1.6
1.4
V GS = -2.5 V
-3.0V
4
2
-2.0V
1.2
1
-3.5V
-4.0V
-4.5V
0
0
1
2
3
4
5
0.8
0
2
4
6
8
10
1.6
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics .
I D = -1.3A
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate
0.5
I D = -0.6A
1.4
1.2
V GS = -4.5V
0.4
0.3
1
0.8
0.2
0.1
T A = 125°C
25°C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0
0
2 4 6 8
- V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
4
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature .
10
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
3
V DS = -5V
T J = -55°C
25°C
125°C
1
V GS = 0V
T J = 125°C
25°C
2
1
0.1
0.01
-55°C
0
0.5
1 1.5 2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
2.5
0.001
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source
Current
and Temperature.
FDN336P Rev. D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 1754738-1 | ADAPTIVE TERMINATION KIT ST |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN336P_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDN336P-NL | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| FDN337N | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN337N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| FDN337N_G | 制造商:Fairchild 功能描述:30V/20A MOSFET SOT-3 (Halogen free) |
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