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参数资料
| 型号： | FDP150N10A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1440pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 91W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.10
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.5
1.08
2.0
1.04
1.00
1.5
0.96
*Notes:
1. V GS = 0V
1.0
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.92
-100
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.5
-100
2. I D = 50A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
300
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
60
100
10
10 μ s
100 μ s
1ms
50
40
V GS = 10V
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
R θ JC = 1.6 C/W
T C , Case Temperature [ C ]
1
0.1
0.01
0.1
Operation in This Area 10ms
is Limited by R DS(on)
DC
*Notes:
o
o
3. Single Pulse
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100 200
30
20
10
0
25
o
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Eoss vs. Drain to Source Voltage
Figure 12. Unclamped Inductive
Switching Capability
1.5
1.2
20
10
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS -V DD )
If R = 0
t AV = (L/R)In[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS -V DD )+1]
STARTING T J = 25 C
0.9
o
0.6
STARTING T J = 150 C
0.3
o
0.0
0
25 50 75
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
100
1
0.01
0.1 1 10 100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
1000
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP150N10A Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDP19N40 | MOSFET N-CH 400V 19A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP150N10A_F102 | 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP15N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP15N50 | 功能描述:MOSFET 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP15N50F102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDP15N65 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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