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参数资料
| 型号： | FDP15N40 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 15A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 170W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
40
10
V GS = 15.0V
10.0V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
60
150 C
-55 C
25 C
1
6.0 V
5.5 V
10
o
o
o
2. T C = 25 C
0.2
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7
8
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.50
0.45
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
80
150 C
25 C
0.40
0.35
0.30
V GS = 10V
V GS = 20V
10
1
o
o
*Note: T J = 25 C
0.25
0.20
0
10 20 30
o
40
0.1
0.2
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.3
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
3000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 100V
V DS = 200V
V DS = 320V
*Note:
2000
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
C iss
4
1000
C oss
2
0
0.1
C rss
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
5
*Note: I D = 15A
10 15 20 25
Q g , Total Gate Charge [nC]
30
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP15N40 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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