- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21703 > FDP5N50 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDP5N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 14/Mar/2011 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 85W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
20
10
V GS = 15.0V
10.0V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
20
10
150 C
25 C
-55 C
1
6.0 V
5.5 V
1
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.04
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
30
0.1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.0
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
70
150 C
2.5
o
25 C
2.0
1.5
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
*Notes:
*Note: T J = 25 C
1.0
0
3
6
9
o
12
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.8 1.2
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
1000
750
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
1. V GS = 0V
500
C iss
C oss
2. f = 1MHz
6
4
250
2
C rss
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
*Note: I D = 5A
4 8
Q g , Total Gate Charge [nC]
12
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF5N50T Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S24140HR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 140W NI-880 |
| 3266W-1-501LF | TRIMMER 500 OHM 0.25W TH |
| DPPM10D33K-F | CAP FILM 3300PF 1KVDC RADIAL |
| 3266W-1-200LF | TRIMMER 20 OHM 0.25W TH |
| CD10CD120JO3F | CAP MICA 12PF 500V 5% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP5N50_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FDP5N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55ヘ |
| FDP5N50F_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55?? |
| FDP5N50NZ | 功能描述:MOSFET N-Chan UniFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP5N50NZF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 4.2A, 1.75?? |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。