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参数资料
| 型号： | FDPF045N10A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 67A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 67A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5270pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 43W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 12. Transient Thermal Response Curve
5
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
P DM
0.01
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 3.5 C/W Max.
0.01
Single pulse
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
1
10
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
0.001
-5
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
-4
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-3 -2 -1
Rectangular Pulse Duration [sec]
5
100
www.fairchildsemi.com
FDPF045N10A Rev. C2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF085N10A | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F |
| FDPF10N50FT | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F |
| FDPF10N50UT | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3 |
| FDPF10N60ZUT | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| FDPF12N50FT | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF085N10A | 功能描述:MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF10N50FT | 功能描述:MOSFET UniFET 500V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF10N50UT | 功能描述:MOSFET 500V 8A N-Chan UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF10N60NZ | 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF10N60ZUT | 功能描述:MOSFET 600V 9A N-Chan FRFET UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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