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参数资料
| 型号： | FDPF20N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
* Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 10 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
- FDP20N50
o
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
- FDPF20N50
10
10
10
10
2
1
10 μ s
100 μ s
1 ms
10 ms
2
1
10 μ s
100 μ s
1 ms
10
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
10
10
10
10
10
10
10
10
0
-1
-2
0
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
1
100 ms
DC
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
2
0
-1
-2
0
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
1
10 ms
100 ms
DC
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
25
20
15
10
5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
o
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP20N50 / FDPF20N50 / FDPF20N50T Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0639103500 | T2 TERMINATOR ASSEMBLY |
| ADP1191 | SENSOR PRESSURE 980.7KPA STD DIP |
| ASFL1-75.000MHZ-L-T | OSCILLATOR 75.000 MHZ 3.3V SMD |
| 0639113200 | T2 TERMINATOR ASSEMBLY |
| MPXV7007GC6U | PRESSURE SENSOR AXIAL PORT 8-SOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF20N50FT | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF20N50T | 功能描述:MOSFET 500V 20A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF24N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175ヘ |
| FDPF26N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 26A, 0.16ヘ |
| FDPF2710T | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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