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参数资料
| 型号： | FDPF5N50NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 2.25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
0.8
2. I D = 250 ? A
0.0
2. I D = 2.25A
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
-100
-50 0 50 100
o
150
-100
-50 0 50 100
o
150
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
for FDP5N50NZ
30
Figure 10. Maximum Safe Operating Area
for FDPF5N50NZ
30
10
1
100 ? s
1ms
10ms
DC
10
1
100us
1ms
10ms
DC
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
0.1
*Notes:
0.1
*Notes:
1. T C = 25 C
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
2. T J = 150 C
0.01
o
o
3. Single Pulse
0.01
o
o
3. Single Pulse
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 11. Maximum Drain Current
V DS , Drain-Source Voltage [V]
5
4
3
2
1
0
vs. Case Temperature
T C , Case Temperature [ C]
25
50 75 100 125
o
150
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP5N50NZ / FDPF5N50NZ Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF5N50TYDTU | MOSFET N-CH 500V TO-220FP-3 |
| FDPF5N50UT | MOSFET N-CH 500V TO-220F-3 |
| FDPF5N60NZ | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F |
| FDPF680N10T | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F |
| FDPF6N60ZUT | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF5N50NZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, UNITFET, 500V, 4.5A, TO-220 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFETUNITFET 500V 4.5A TO-220F |
| FDPF5N50NZF | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF5N50NZU | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF5N50NZU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFETUNITFET 500V 3.9A TO-220F |
| FDPF5N50T | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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