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参数资料
| 型号： | FDPF5N50TYDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V TO-220FP-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 28W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
0.9
*Notes:
1.5
1.0
*Notes:
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-75
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-25 25 75 125 175
o
0.5
-75
1. V GS = 10V
2. I D = 2.5A
-25 25 75 125 175
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
30
30 μ s
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
6
10
1
Operation in This Area
DC
1ms
10ms
100 μ s
5
4
3
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
is Limited by R DS(on)
*Notes:
o
o
2
1
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
800
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
0.5
1
0.2
0.1
P DM
1. Z θ JC (t) = 4.5 C/W Max.
0.1
0.05
0.02
0.01
*Notes:
t 1
t 2
o
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0.01
Single pulse
-5 -4
-3
-2
-1
0
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
1 2
3
1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF5N50T Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF5N50UT | MOSFET N-CH 500V TO-220F-3 |
| FDPF5N60NZ | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F |
| FDPF680N10T | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F |
| FDPF6N60ZUT | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| FDPF770N15A | MOSFET N-CH 150V 10A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF5N50UT | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF5N50UTYDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDPF5N60NZ | 功能描述:MOSFET 600V, N-Channel MOSFET, UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF680N10T | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF6N60ZUT | 功能描述:MOSFET 600V 4.5A N-Chan FRFET UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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