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参数资料
| 型号： | FDPF5N50UT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V TO-220F-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | FRFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 28W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
1.2
30
30 μ s
1.1
10
100 μ s
1ms
10ms
1
1.0
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.1
*Notes:
o
o
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-75
2. I D = 250 μ A
-25 25 75 125 175
o
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
Figure 9. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
5
4
3
2
1
T C , Case Temperature [ C ]
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 10. Transient Thermal Response Curve
10
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P DM
0.1
0.02
0.01
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 4.5 C/W Max.
0.01
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0.003
-5
-4
-3
-2
-1
0
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
1 2
3
1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF5N50UT Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF5N60NZ | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDPF6N60ZUT | 功能描述:MOSFET 600V 4.5A N-Chan FRFET UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF6N60ZUT_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 4.5A, 2?? |
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