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参数资料
| 型号： | FDS3570 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 80V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 9000 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SOIC-8 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 250K |
| 代理商： | FDS3570 |
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6
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10
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10
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30
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60
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 9A
V
DS
= 10V
40V
20V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0.0001
0.001
001
0.1
t , TI ME (s e c)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
001
002
005
0.1
0.2
0.5
1
T
r
S n g l e P ul s e
D = 05
01
0.05
0.02
001
02
D u t y C y c l e, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125
°
C/ W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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