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参数资料
| 型号： | FDS3590 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 6500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SOIC-8 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | FDS3590 |
FDS3590 Rev B. (W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
6
12
18
24
30
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
ID= 6.5A
VDS= 10V
40V
20V
0
500
1000
1500
2000
0
20
40
60
80
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
CISS
CRSS
COSS
f = 1MHz
VGS= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
5
10
15
20
25
30
0.01
0.1
1
10
100
t, SINGLE PULSE TIME (sec)
P
p
,
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
Rq
Α
(t) = r(t) + Rq
Α
Rq
Α
= 125 °C/W
T
- T
Α
= P * Rq
Α
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
Single Pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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| FDS3670_0011 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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