型号: | FDS3690 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | DIODE ZENER SINGLE 1000mW 7.5Vz 34mA-Izt 0.05 10uA-Ir 5Vr DO41-GLASS 5K/AMMO |
中文描述: | 4200 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | SOIC-8 |
文件页数: | 3/8页 |
文件大小: | 208K |
代理商: | FDS3690 |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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FDS3692 | 功能描述:MOSFET 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDS3692 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
FDS3692_Q | 功能描述:MOSFET 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDS3812 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDS3890 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |