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参数资料
型号： FDS3692
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m???
中文描述： 4.5 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装： SO-8
文件页数： 8/11页
文件大小： 277K
代理商： FDS3692
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS3692 Rev. B
F
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDS3692 2 1 3 ;
Ca 12 8 2.82e-10
Cb 15 14 2.82e-10
Cin 6 8 7.0e-10
rev Aug 2002
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 109.7
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 5.61e-9
Ldrain 2 5 1e-9
Lsource 3 7 1.98e-9
RLgate 1 9 56.1
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 19.8
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 28.0e-3
Rgate 9 20 3.7
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 14.0e-3
Rvthres 22 8 Rvthresmod 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*40),2.5))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=2.4E-12 N=1.03 RS=8.2e-3 TRS1=2.1e-3 TRS2=4.7e-7
+ CJO=5.5e-10 M=0.57 TT=3.25e-8 XTI=4.6)
.MODEL DbreakMOD D (RS=1.6 TRS1=2.4e-3 TRS2=-1.0e-5)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=1.55e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.54)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.8 KP=2.1 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=3.7)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.3 KP=26 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=3.26 KP=0.04 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=37 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.1e-3 TC2=-1.0e-8)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=9.0e-3 TC2=2.9e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=2.5e-3 TC2=2.2e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-4.8e-3 TC2=-1.1e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-3.0e-3 TC2=1.5e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-3.0 VOFF=-2.0)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2.0 VOFF=-3.0)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=1.0)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=1.0 VOFF=-1.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
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6
8
+
-
5
51
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8
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5
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RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
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S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
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MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
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RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
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-
+
6
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