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参数资料
| 型号： | FDS7064N |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 16 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | FLMP, SO-8 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | FDS7064N |
FDS7064N Rev C2 (W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
60
0
0.5
1
1.5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
3.0V
2.0V
2.5V
3.5V
V
GS
= 10V
4.5V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
10
20
30
40
50
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 2.0V
3.0V
3.5V
4.5V
2.5V
10V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 16 A
V
GS
= 10V
0.002
0.006
0.01
0.014
0.018
1
2.5
4
5.5
7
8.5
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 8 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
60
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述 |
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参数描述 |
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