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参数资料
| 型号： | FDS8876_NL |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 12.5 A, 30 V, 0.0082 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LEAD FREE, SO-8 |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 262K |
| 代理商： | FDS8876_NL |
F
FDS8876 Rev. A
www.fairchildsemi.com
6
Figure 11. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 12. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 13. Gate Charge Waveforms for Constant Gate Currents
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
0.1
1
10
3000
30
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
15
20
25
30
V
G
,
V
DD
= 15V
I
D
= 12.5A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8878 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8880 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8896 | N-Channel PowerTrench?? MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8878_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS8878_F123 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 10.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8878_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8880 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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