型号: | FDS8934A |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
中文描述: | 4 A, 20 V, 0.065 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | SOIC-8 |
文件页数: | 3/8页 |
文件大小: | 417K |
代理商: | FDS8934A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
FDS8936S | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDS8936 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDS8936A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDS8947A | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDS8958A | Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
FDS8935 | 功能描述:MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDS8936 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDS8936A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDS8936S | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDS8947A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |