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参数资料
| 型号： | FDU3706 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 14.7 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | FDU3706 |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD3706 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDU6030BL | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6030BL | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6030 | N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
| FDD6030L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU37PG2M-K1019 | 功能描述:D-Sub双端口连接器 D-SUB DUAL PORT RoHS:否 制造商:NorComp 端口数量: 每端口位置/触点数量:25 / 25 每端口行数量: 安装风格:Through Hole 安装角:Right 端接类型:Solder 型式:Male / Female |
| FDU3N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| FDU3N40TU | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU5N53 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
| FDU5N53TU | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
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