- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19195 > FDU3N40TU (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 400V 2A IPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDU3N40TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK |
| 产品目录绘图： | I-PAK, I2PAK Pkg |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Mechanical Dimensions
Figure 17. TO-251 (I-PAK), Molded, 3-Lead, Option AA
Package drawings are provided as a service to customers considering Fairchild components. Drawings may change in any manner
without notice. Please note the revision and/or date on the drawing and contact a Fairchild Semiconductor representative to verify or
obtain the most recent revision. Package specifications do not expand the terms of Fairchild’s worldwide terms and conditions, specif-
ically the warranty therein, which covers Fairchild products.
Always visit Fairchild Semiconductor ’s online packaging area for the most recent package drawings:
http://www.fairchildsemi.com/package/packageDetails.html?id=PN_TT251-003
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3N40 / FDU3N40 Rev. C3
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 210-5MSTFD | SWITCH RAISED ACTUATOR 5 SEC |
| 210-5LPSTFD | SWITCH SPST 5 SEC LOW PROFILE |
| 210-5MSTD | SWITCH RAISED ACTUATOR 5 SEC |
| 210-5LPSTD | SWITCH SPST 5 SEC STRAIGHT TERM |
| 58517-1 | TOOL CRIMP W/DIE CST-100 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU5N53 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
| FDU5N53TU | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
| FDU6030BL | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6030BL_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6296 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。