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参数资料
| 型号： | FDU6296 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench? MOSFET |
| 中文描述： | 15 A, 30 V, 0.0088 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | TO-251, IPAK-3 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | FDU6296 |
FDD6296/FDU6296 Rev. C(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
,
I
D
= 15A
V
DS
= 10V
15V
20V
0
600
1200
1800
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics
Figure 8. Capacitance Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100μs
10s
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 96 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
SINGLE PULSE
0.0
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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PDF描述 |
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