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参数资料
| 型号： | FDU6680A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 14 A, 30 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | FDU6680A |
FDD6680A/FDU6680A Rev. D(W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
3.5V
V
GS
=10V
4.0V
3.0V
4.5V
6.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
0
10
20
30
40
50
60
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.0V
4.0V
6.0V
4.5V
5.0V
10V
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 14A
V
GS
= 10V
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 7A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
0
10
20
30
40
50
60
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
=125
o
C
25
o
C
V
DS
= 5V
-55
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU6680 | 30V N-Channel PowerTrench? MOSFET |
| FDD6680 | N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench⑩ MOSFET |
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| FDD6680AS_NL | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDU6682 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU6680A_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6682 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6682_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDU6682_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6688 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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