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参数资料
| 型号： | FDV302P_NB8V001 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDV302P_NB8V001DKR |
Typical Electrical And Thermal Characteristics
8
25
I D = -0.2A
V DS = -5V
-10
15
6
-15
10
C iss
C oss
4
5
3
2
2
f = 1 MHz
0
0
0.1
0.2 0.3
Q g , GATE CHARGE (nC)
0.4
0.5
1
0.1
V GS = 0 V
0.3 1 2 5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Crs s
10 15
25
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1
Figure 8. Capacitance Characteristics .
5
0m
0.5
0.2
RD
S(O
N)
L
IM
IT
1s
10
1m
s
s
4
3
SINGLE PULSE
R θ JA =357° C/W
T A = 25°C
10
0.1
s
2
0.05
0.02
V GS = -2.7V
SINGLE PULSE
R θ JA = 357 °C/W
DC
1
0.01
1
T A = 25°C
2
5
10
15
20
30
40
0
0.001
0.01
0.1 1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
10
100
300
- V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.2
0.1
0.05
0.02
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 357 °C/W
= P * R JA (t)
0.01
0.005
0.01
Single Pulse
t 1
T J - T A
t 2
θ
0.002
0.001
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve .
FDV302P REV. F
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PDF描述 |
|---|---|
| HPL0603-KIT | KIT INDUCTOR 15 VAL 40PC EA 0201 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDV303 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Digital FET, N-Channel |
| FDV303N | 功能描述:MOSFET N-Ch Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDV303N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N DIGITAL SOT-23 |
| FDV303N_NB9U008 | 功能描述:MOSFET N-Ch Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDV303N_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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