参数资料
型号: FEP6CTHE3/45
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 140K
描述: DIODE 6A 150V 35NS DUAL TO220-3
标准包装: 1,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 975mV @ 3A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 150V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 6A
电压 - (Vr)(最大): 150V
反向恢复时间(trr): 35ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
FEP(F,B)6AT thru FEP(F,B)6DT
Vishay General Semiconductor
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Document Number: 88598
Revision: 07-Nov-07
2
Note:
(1) Pulse test: 300
μs pulse width, 1 % duty cycle
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL FEP6AT FEP6BT FEP6CT FEP6DT UNIT
Maximum instantaneous forward voltage
per diode (1)
3.0 A VF
0.975 V
Maximum DC reverse current at rated DC
blocking voltage per diode
TC
= 25 °C
TC
= 100 °C
IR
5.0
50
μA
Maximum reverse recovery time per diode
IF
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A,
Irr
= 0.25 A
trr
35 ns
Typical junction capacitance per diode 4.0 V, 1 MHz CJ
28 pF
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL FEP6 FEPF6 FEPB6 UNIT
Typical thermal resistance from junction to case per diode RθJC
3.6 5.1 3.6 °C/W
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB FEP6DT-E3/45 1.81 45 50/tube Tube
ITO-220AB FEPF6DT-E3/45 1.97 45 50/tube Tube
TO-263AB FEPB6DT-E3/45 1.33 45 50/tube Tube
TO-263AB FEPB6DT-E3/81 1.33 81 800/reel Tape and reel
TO-220AB FEP6DTHE3/45
(1)
1.81 45 50/tube Tube
ITO-220AB FEPF6DTHE3/45
(1)
1.97 45 50/tube Tube
TO-263AB FEPB6DTHE3/45
(1)
1.33 45 50/tube Tube
TO-263AB FEPB6DTHE3/81
(1)
1.33 81 800/reel Tape and reel
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PDF描述
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