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参数资料
| 型号： | FEPB6DT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 140K |
| 描述： | DIODE 6A 200V 35NS DUAL TO263AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 975mV @ 3A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 6A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
FEP(F,B)6AT thru FEP(F,B)6DT
Vishay General Semiconductor
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region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88598
Revision: 07-Nov-07
4
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
TO-220AB
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.415 (10.54) MAX.
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
PIN
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
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0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.035 (0.90)
0.028
(0.70)
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0.148
(3.74)
1
3
2
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.145 (3.68)
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0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148
(29.16)
1.118
(2
8.40)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
ITO-220AB
0.076 (1.93) REF.
45° REF.
PIN
3
2
1
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 (1.93) REF.
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.028
(0.71)
0.020 (0.51)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7° REF.
0.135 (3.43) DIA.
0.122 (3.08) DIA.
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
7° REF.
7° REF.
0.140 (3.56) DIA.
0.125 (3.17) DIA.
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
TO-263AB
Mounting Pad Layout
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.08
(2.032) MI
N.
0.15 (3.81) MIN.
0.33 (8.38) MIN.
0.42 (10.66) MIN.
12K
0.591 (15.00)
K
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0 to 0.01 (0 to 0.254)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
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0.195 (4.95)
0.624 (15.85)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
MIN.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBC24DCSD | CONN EDGECARD 48POS DIP .100 SLD |
| T95S335M010ESAL | CAP TANT 3.3UF 10V 20% 1507 |
| ISL6622AIRZ | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN |
| T95S335K016ESAL | CAP TANT 3.3UF 16V 10% 1507 |
| FEPB6CT-E3/45 | DIODE 6A 150V 35NS DUAL TO263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FEPB6DTHE3/45 | 功能描述:整流器 6.0A 200V 35ns Dual 75 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FEPB6DTHE3/81 | 功能描述:整流器 6.0A 200V 35ns Dual 75 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FE-PC1L | 制造商:PEPPERL+FUCHS 功能描述:Photoelectric (Automation) |
| FEPE16CT-E3/45 | 功能描述:整流器 16 Amp 150 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FEPE16DT-E3/45 | 功能描述:整流器 16 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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