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参数资料
| 型号： | FEPB6DT-E3/81 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 140K |
| 描述： | DIODE 6A 200V 35NS DUAL TO263AB |
| 标准包装： | 800 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 975mV @ 3A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 6A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
FEP(F,B)6AT thru FEP(F,B)6DT
Vishay General Semiconductor
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region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88598
Revision: 07-Nov-07
4
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
TO-220AB
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.415 (10.54) MAX.
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
PIN
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
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0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.035 (0.90)
0.028
(0.70)
0.154 (3.91)
0.148
(3.74)
1
3
2
0.185 (4.70)
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0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.145 (3.68)
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0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148
(29.16)
1.118
(2
8.40)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
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0.100 (2.54)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
ITO-220AB
0.076 (1.93) REF.
45° REF.
PIN
3
2
1
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 (1.93) REF.
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
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0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
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0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
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0.028
(0.71)
0.020 (0.51)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7° REF.
0.135 (3.43) DIA.
0.122 (3.08) DIA.
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
7° REF.
7° REF.
0.140 (3.56) DIA.
0.125 (3.17) DIA.
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
TO-263AB
Mounting Pad Layout
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.08
(2.032) MI
N.
0.15 (3.81) MIN.
0.33 (8.38) MIN.
0.42 (10.66) MIN.
12K
0.591 (15.00)
K
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0 to 0.01 (0 to 0.254)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
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0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
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0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
MIN.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL89163FBECZ-T | MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC |
| FEPB6CT-E3/81 | DIODE 6A 150V 35NS DUAL TO263AB |
| FEPB6BT-E3/81 | DIODE 6A 100V 35NS DUAL TO263AB |
| T95S685M004ESAL | CAP TANT 6.8UF 4V 20% 1507 |
| ISL89163FBEBZ-T | MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FEPB6DTHE3/45 | 功能描述:整流器 6.0A 200V 35ns Dual 75 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FEPB6DTHE3/81 | 功能描述:整流器 6.0A 200V 35ns Dual 75 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FE-PC1L | 制造商:PEPPERL+FUCHS 功能描述:Photoelectric (Automation) |
| FEPE16CT-E3/45 | 功能描述:整流器 16 Amp 150 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FEPE16DT-E3/45 | 功能描述:整流器 16 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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