参数资料
型号: FESB8JT-E3/45
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 133K
描述: DIODE 8A 600V 50NS SGL TO263AB
标准包装: 1,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.5V @ 8A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 600V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263AB
包装: 管件
‘? _ FES8xT, FESF8xT, FEsB8xT7 www'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
I000
EPercent ol Rated Peak Reverse Voltage (O/O)
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0.2 0 4 0.6 0 E 1.0 12 1.4 1.6 1.8 2.0Instantaneous Forward Voltage (V) Reverse Voltage (V)Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
I00
I0
OI
Instantaneous Reverse Leakage
Current (uA)
Fig. A - Typical Reverse Leakage Characteristics
Revision: 20-Aug-13 3 Document Number: 88600
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