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参数资料
型号： FF600R17KF6B2
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 1200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
文件页数： 1/8页
文件大小： 91K
代理商： FF600R17KF6B2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 600 R 17 KF6 B2
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
VCES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 80 °C
IC,nom.
600
A
DC-collector current
TC = 25 °C
IC
1200
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp = 1 ms, TC=80°C
ICRM
1200
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Ptot
4,8
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
VGES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
600
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
IFRM
1200
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
I
2t
110
kA
2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
4kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
VCE sat
2,6
3,1
V
collector-emitter saturation voltage
IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
3,1
3,6
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 40mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Gateladung
gate charge
VGE = -15V ... +15V
QG
7,2
C
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cies
40
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cres
2nF
Kollektor-Emitter Reststrom
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
ICES
0,015
1,2
mA
collector-emitter cut-off current
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
860
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
prepared by: Oliver Schilling
date of publication: 4.9.1999
approved by: Chr. Lübke; 08.10.99
revision: 2 (Serie)
1(8)
FF600R17KF6B2
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