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参数资料
| 型号： | FFA40UP35STU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 578K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 40A 350V TO-3P |
| 产品目录绘图： | Recovery Diode Circuit |
| 标准包装： | 30 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 350V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 40A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.6V @ 40A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 55ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 350V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
FFA40UP35S
—
Ultrafast Diode
www.fairchildsemi.com
3
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FFA40UP35S Rev. C1
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Typical Forward Voltage Drop
vs. Forward Current
Figure 4. Typical Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Figure 5.Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Reverse Recovery Time
vs. di
F/dt
Figure 7. Typical Reverse Recovery
Current vs. di
F/dt
Figure 8. Forward Current Derating Curve
0.2
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
1
10
100
TC
= 125
oC
TC
= 75
oC
Forward Current, I
F
[A]
Forward Voltage, V
F
[V]
TC
= 25
oC
100 200 300 350
1E-3
10
0.01
0.1
1
10
100
TC
= 75
oC
TC
= 25
oC
TC
= 125
oC
Reverse Current , I
R
[
?
A
]
Reverse Voltage, VR
[V]
80
0.1 1 10 100
160
240
320
400
480
560
Typical Capacitance
at 0V = 530 pF
Capacitances , Cj [pF]
Reverse Voltage, VR[V]
20
100 200 300 400 500
30
40
50
IF
= 40A
TC
= 75
oC
TC
= 25
oC
TC
= 125
oC
Reverse Recovery Time, t
rr
[
?
s]
diF/dt [A/?s]
100 200 300 400 500di
F/dt [A/?s]
2
4
6
8
10
IF
= 40A
TC
= 125
oC
TC
= 25
oC
TC
= 75
oC
Reverse Recovery Current, I
rr
[A]
025 50 75 100 125 150
25
50
75
100
Average Forward Current, I
F(AV)
[A]
Case temperature, TC
[oC]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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