参数资料
型号: FFB20UP20STM
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 698K
描述: DIODE ULTRA FAST 200V D2PAK
产品目录绘图: Recovery Diode Circuit
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 20A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.15V @ 20A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 45ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 200V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 标准包装
产品目录页面: 1614 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FFB20UP20STMDKR
3
www.fairchildsemi.com
FFB20UP20S
Ultrafast
Diode
Typical Performance Characteristics
Figure 3.
Typical Forward Voltage Drop
Figure
4. Typical Reverse
Current
Figure 5.
Typical Junction
Capacitance
Figure
6.
Ty
pical Reverse
Recovery Time
Figure 7. Typical Reverse Recovery
Current
Figure 8. Forward
Current
Deration
Cur
ve
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2 1.4 1.6
0.1
1
10
100
TC
= 75
oC
TC
= 125
oC
FORWARD CURRENT, I
F
[A]
FORWARD VOLTAGE, VF
[V]
TC
= 25
oC
0
50
100
150
200
1E-3
0.01
0.1
1
10
TC
= 125
oC
TC
= 100
oC
TC
= 75
oC
REVERSE
CURRENT
,
I
R
[
μ
A]
REVERSE VOLTAGE, VR
[V]
TC
= 25
oC
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
JUNCTION CAPACITANCE
, C
J
[pF]
REVERSE VOLTAGE, VR
[V]
f = 1MHz
100
200
300 400 500
20
24
28
32
36
40
44
48
52
TC
= 125
oC
TC
= 75
oC
REVERSE RECOVERY TIME,
T
rr
[n
s]
diF/dt
[A
/μs]
TC
= 25
oC
IF
= 20A
100
200
300 400 500
0
2
4
6
8
10
12
TC
= 125
oC
TC
= 75
oC
REVERSE RECOVERY CURRENT, Irr [A]
diF/dt [A/μs]
TC
= 25
oC
IF
= 20A
100
110
120
130
140
150
0
5
10
15
20
25
30
AVERAGE FORWARD CURRENT, I
F(AV)
[A]
CASE TEMPERATURE, TC
[
oC]
DC
?2006
Fairchild Semiconductor
Cor
poration
FFB20UP20S Rev.C1
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