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参数资料
| 型号： | FFD04H60S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 815K |
| 描述： | DIODE HYPERFASTII 600V 4A DPAK |
| 产品目录绘图： | Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 4A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.1V @ 4A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 60ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FFD04H60SDKR |
FFD04H60S
—
Hyperfast II Diode
www.fairchildsemi.com
2
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FFD04H60S Rev. C1
Electrical Characteristics TC = 25oC
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VF1
IF
= 4 A
IF
= 4 A
TC = 25oC
TC = 125oC
-
-
-
-
2.1
1.7
V
IR1
VR
= 600 V
TC = 25oC
VR
= 600 V
TC = 125oC
-
-
-
-
100
200
?A
trr
IF
= 1 A, di
F/dt = 100 A/?s, VR
= 30V
IF
= 4 A, di
F/dt = 100 A/?s, VR
= 390V
TC = 25oC
TC = 25oC
-
-
19
25
-
60
ns
Irr
Qrr
IF
= 4 A, di
F/dt = 100 A/?s, VR
= 390V
TC = 25oC
-
-
1.5
18
-
-
A
nC
WAVL
Avalanche Energy ( L = 40 mH)
4
-
-
mJ
Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform
Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
Test Circuit and Waveforms
Notes:
1: Pulse: Test Pulse width = 300?s, Duty Cycle = 2%
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PDF描述 |
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