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参数资料
| 型号： | FFD08S60S_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 492K |
| 描述： | DIODE STEALTH 600V 8A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.6V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
FFD08S60S_F085 Stealth 2 Rectifier
FFD08S60S_F085 Rev. C1
www.fairchildsemi.com
2
Electrical Characteristics TC
= 25°C unless otherwise noted
1. Pulse : Test Pulse width = 300us, Duty Cycle = 2%
Parameter
Test Conditions
Min Typ Max Units
VFM1
IF
= 8A,
IF
= 8A
TC
= 25°C
TC
= 125°C
-
-
2.1
1.6
2.6
-
V
IRM1
VR
= 600V,
VR
= 600V
TC
= 25°C
-
-
-
-
100
500
μA
TC
= 125°C
trr
IF
= 1A, di/dt = 100A/s, V
R
= 30V T
C
= 25°C
- - 25 ns
trr
IF
= 8A, di/dt = 200A/s, V
R
= 390V T
C
= 25°C
-1930ns
Irr
-2.2- A
S factor
-0.6-
Qrr
-21-nC
trr
IF
= 8A, di/dt = 200A/s, V
R
= 390V T
C
= 125°C
-58-ns
Irr
-4.3- A
S factor
1.3
Qrr
- 125 - nC
WAVL
Avalanche Energy (L = 40mH)
20 - - mJ
Notes:
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FFD10UP20S | DIODE ULT FAST 200V DPAK |
| FFD20UP20S | DIODE ULT FAST 200V 20A DPAK-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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