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参数资料
| 型号： | FFD10UP20S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 807K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 200V DPAK |
| 产品目录绘图： | Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 10A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 200V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1614 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FFD10UP20SDKR |
FFD10UP20S
—
Ultrafast Diode
www.fairchildsemi.com
3
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FFD10UP20S Rev. C1
Typical Performance Characteristics
40 80 120 160 200
0.1
10
1
10
100
1000
TC
= 25
oC
TC
= 100
oC
Reverse Current , I
R
[
nA
]
Reverse Voltage, VR
[V]
0.1
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
1
10
TC
= 100
oC
Forward Current, I
F
[A]
Forward Voltage, V
F
[V]
TC
= 25
oC
50
Figure 3. Typical Forward Voltage Drop
vs. Forward Current
Figure 4. Typical Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Reverse Recovery Time
vs. di
F/dt 40
10-1
100
101
102
0
30
60
90
120
150
Capacitances , Cj [pF]
Reverse Voltage, VR[V]
Typical Capacitance
at 0V = 129 pF
20
50 100 150 200 250
25
30
35
TC
= 25
oC
TC
= 100
oC
Reverse Recovery Time, t
rr
[ns]
diF/dt [A/?s]
IF
= 10A
Figure 7. Typical Reverse Recovery
Current vs. di
F/dt6
Figure 8. Forward Current Derating Curve
50 100 150 200 250di
F/dt [A/?s]
0
1
2
3
4
5
TC
= 25
oC
TC
= 100
oC
Reverse Recovery Current, I
rr
[A]
IF
= 10A
0
25 50 75 100 125 150
4
8
12
16
20
24
28
32
Average Forward Current, I
F(AV)
[A]
Case temperature, TC
[oC]
DC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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