参数资料
型号: FFD20UP20S
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 2332K
描述: DIODE ULT FAST 200V 20A DPAK-3
产品目录绘图: Circuit
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 20A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.15V @ 20A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 45ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 200V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 标准包装
其它名称: FFD20UP20SDKR
FFD20UP20S
20
A, 200
V, Ultrafast Diode
www.fairchildsemi.com
3
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Forward Voltage Drop
vs. Forward Current
Figure 2. Typical Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Figure 3.Typical Junction Capacitance
Figure 4. Typical Reverse Recovery Time
vs. di/dt
Figure 5. Typical Reverse Recovery
Current vs. di/dt
Fi
gure 6. Forward Current Derating Curve
0.1
0.00.30.60.91.21.5
1
10
100
TC
= 75
oC
TC
= 125
oC
Forward Current, I
F
[A]
Forward Voltage, V
F
[V]
TC
= 25
oC
1E-4
10 50 100 150 200
0.001
0.01
0.1
1
10
TC
= 125
oC
TC
= 25
oC
TC
= 75
oC
Reverse Current , I
R
[
μ
A
]
Reverse Voltage, VR
[V]
10
100 200 300 400 500
20
30
40
TC
= 125
oC
IF
= 20A
TC
= 25
oC
TC
= 75
oC
Reverse Recovery Time, t
rr
[ns]
di/dt [A/μs]
10
0.1
1
10
100
100
1000
Capacitances , Cj [pF]
Typical Capacitance
at 0V = 335 pF
Reverse Voltage, VR[V]
0
100 200 300 400 500
2
4
6
8
TC
= 25
oC
IF
= 20A
TC
= 125
oC
TC
= 75
oC
Reverse Recovery Current, I
rr
[A]
di/dt [A/μs]
0
25 50 75 100 125 150
20
40
60
80
Average Forward Current, I
F(AV)
[A]
Case temperature, TC
[oC]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FFD20UP20S Rev. A
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