参数资料
型号: FFP08S60SNTU_G
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 291K
描述: DIODE STEALTH 600V 8A TO-220AC
标准包装: 50
系列: STEALTH™ II
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 3.4V @ 8A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 32ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 600V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 整包
供应商设备封装: TO-220-2L
包装: 管件
FFP008S60SN —
STEALTH? II Diode
www.fairchildsemi.com
2
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FFP008S60SN Rev. C1
Electrical Characteristics TC = 25oC
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VFM1
IF
= 8 A
IF
= 8 A
TC = 25oC
TC = 125oC
-
-
2.7
2.1
3.4
-
V
IRM1
VR
= 600 V
TC = 25oC
VR
= 600 V
TC = 125oC
-
-
-
-
100
500
?A
trr
IF
= 1 A, di
F/dt = 100 A/?s, VR
= 30 V
TC = 25oC
-
13
-
ns
trr
Irr
S factor
Qrr
IF
= 8 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR
= 390 V
TC = 25oC
-
-
-
-
15
2.5
0.4
19
25
-
-
-
ns
A
nC
trr
Irr
S factor
Qrr
IF
= 8 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR
= 390 V
TC = 125oC
-
-
-
-
32
3.8
0.7
62
-
-
-
-
ns
A
nC
WAVL
Avalanche Energy ( L = 40 mH)
10
-
-
mJ
Test Circuit and Waveforms
Notes:
1: Pulse: Test Pulse width = 300?s, Duty Cycle = 2%
Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform
Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
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PDF描述
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